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电子元器件详细资料 » IC[28838] » NSBC123JDXV6T1G
型号:NSBC123JDXV6T1G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧2222.2k
电阻器_发射极(R2)111欧22247k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563
包装剪切带 (CT)

供应商

瀚佳科技(深圳)有限公司李0755-23915992/23140719
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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NSBC123JDXV6T1G相关型号

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